|
 |
|
|
 |
精彩詞條CVD
補充：0 瀏覽：10876 發布時間：2014-8-5
CVD(Chemical Vapor Deposition)原理 CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。 CVD特點 淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優良。 CVD制備的必要條件 1) 在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當的速度被引入反應室; 2) 反應產物除了形成固態薄膜物質外，都必須是揮發性的; 3) 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。 其他補充 |
|
